Na 28.ª edição da feira de semicondutores SEDEX 2026, que abriu a 14 de outubro no COEX, em Gangnam, Seul, a Samsung Electronics e a SK Hynix apresentaram no mesmo dia as suas tecnologias de empilhamento de memória de nova geração. A lógica das duas empresas é bastante semelhante: empilhar verticalmente os semicondutores para encurtar a distância de movimentação de dados entre os dispositivos de cálculo e a memória, melhorando em simultâneo a velocidade de processamento e a eficiência energética.
Samsung Electronics e SK Hynix mostram tecnologias de memória de nova geração
A Samsung Electronics trouxe a esta edição soluções de semicondutores para IA que abrangem memória, lógica, design, fundição e encapsulamento avançado. A que mais atenção atraiu foi a arquitetura de memória 3D «zHBM», cuja abordagem consiste em empilhar verticalmente memória de alta largura de banda (HBM) sobre o acelerador de IA. A Samsung apresentou também a solução 3D NAND «zNAND-O», uma tecnologia dirigida a cenários de edge em que a IA corre no próprio dispositivo, com foco na utilização eficiente do espaço e no aumento da velocidade de carregamento de dados. Além disso, marcaram presença no stand o produto de HBM de sétima geração HBM4E e a LPDDR-PIM, que integra funções de cálculo dentro da própria memória — a ideia desta tecnologia de DRAM de baixo consumo é permitir que parte do processamento seja feito diretamente na memória, aliviando assim o esforço de transporte de dados para dispositivos de cálculo externos.
Além da rota tecnológica, a Samsung apresentou também os seus planos de capacidade de produção. No novo «cluster de semicondutores» criado este ano, a empresa explicou o papel dos principais polos de produção e de investigação e desenvolvimento e divulgou o plano de construção do Complexo Industrial Nacional de Yongin — um projeto com um investimento de cerca de 360 biliões de wons (aproximadamente 2,05 biliões de yuan), com início previsto da preparação do terreno e das obras em 2027 e o objetivo de colocar a primeira linha de produção em funcionamento em outubro de 2029. Entretanto, segundo informações recolhidas no local, num contexto em que a chinesa CXMT anunciou para breve um DRAM de nova geração para servidores, o presidente Song Jae-hyuk, responsável máximo pela tecnologia da Samsung Electronics, ao ser questionado sobre se a empresa também está a desenvolver a tecnologia 4F2, respondeu «sim», mas, quanto ao progresso do desenvolvimento, limitou-se a dizer que «estão a trabalhar nisso», sem revelar mais detalhes.
Já a proposta de nova geração da SK Hynix concentra-se em duas direções: a memória flash de alta largura de banda (HBF) e a DRAM empilhada em 3D. A HBF é uma tecnologia de nova geração baseada em memória flash NAND, capaz de armazenar eficientemente grandes volumes de dados, sendo por isso vista como um novo nível de memória entre a HBM e a unidade de estado sólido (SSD). A DRAM empilhada em 3D coloca a DRAM diretamente sobre processadores como a GPU e liga-a através de vias de silício (TSV), de modo a encurtar a distância de movimentação dos dados.
No discurso principal desse dia, o presidente Ahn Hyun, responsável máximo pelo desenvolvimento da SK Hynix, fez uma avaliação dos estrangulamentos que a memória enfrenta. Segundo afirmou, à medida que as tarefas assumidas pela IA se tornam cada vez mais complexas e o contexto de referência e o volume de pedidos de processamento por operação não param de aumentar, a escala de desempenho das infraestruturas de IA deverá crescer até 2030 para cerca de 20 vezes a deste ano. Em particular, o crescimento contínuo da «cache KV», os dados intermédios que a IA reutiliza de processamentos anteriores, obriga a dividir, armazenar e transportar dados entre vários tipos de memória, um processo que se está a tornar num novo estrangulamento. Na sua opinião, se as tecnologias de nova geração que ligam diretamente o processador à memória forem combinadas com encapsulamento avançado capaz de aumentar a largura de banda, reduzir o consumo e gerir o calor, poderão dar origem a novas soluções de IA.
Item Especificação Processador/SoC Acelerador de IA Tipo de memória HBM, LPDDR-PIM
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