في 14 أكتوبر، في "المعرض الثامن والعشرين لأشباه الموصلات (SEDEX 2026)" الذي افتتح في COEX في منطقة جانغنام في سيول، عرضت Samsung Electronics وSK Hynix في نفس اليوم تقنياتهما الخاصة بتكديس الذاكرة من الجيل التالي. كان نهج الشركتين متطابقاً إلى حد كبير: تكديس أشباه الموصلات عمودياً، وتقليل مسافة نقل البيانات بين أجهزة الحوسبة والذاكرة، مما يعزز في وقت واحد سرعة المعالجة وكفاءة الطاقة.
سامسونغ إلكترونيكس وSK Hynix تستعرضان تقنيات الذاكرة من الجيل التالي
Samsung إلكترونيكس شاركت في المعرض هذا العام، وعرضت حلول أشباه موصلات الذكاء الاصطناعي التي تغطي الذاكرة، والمنطق، والتصميم، والتصنيع التعاقدي، والتغليف المتقدم. وكان أبرز ما جذب الانتباه هو بنية الذاكرة ثلاثية الأبعاد "zHBM"، حيث يتم تكديس ذاكرة النطاق الترددي العالي (HBM) عمودياً فوق معجل الذكاء الاصطناعي. كما عرضت سامسونغ حل NAND ثلاثي الأبعاد "zNAND-O"، وهي تقنية تستهدف سيناريوهات الحافة لتشغيل الذكاء الاصطناعي على الجهاز، مع التركيز على الاستخدام الفعال للمساحة وتحسين سرعة تحميل البيانات. بالإضافة إلى ذلك، ظهر في الجناح منتج HBM من الجيل السابع HBM4E، وكذلك LPDDR-PIM التي تدمج وظائف الحوسبة داخل الذاكرة - فكرة تقنية DRAM منخفضة الاستهلاك هذه هي السماح بإجراء جزء من الحوسبة مباشرة في الذاكرة، مما يقلل عبء نقل البيانات إلى أجهزة الحوسبة الخارجية.
بالإضافة إلى المسار التقني، قدمت سامسونغ أيضاً تخطيط طاقتها الإنتاجية. شرحت الشركة في "مجموعة أشباه الموصلات" التي تم إنشاؤها حديثاً هذا العام، أدوار قواعد الإنتاج والبحث والتطوير الرئيسية، وكشفت عن خطة بناء مجمع يونغين الصناعي الوطني - المشروع الذي يستثمر حوالي 360 تريليون وون كوري (حوالي 2.05 تريليون يوان صيني)، ومن المقرر أن يبدأ تسوية الأراضي والبناء في عام 2027، بهدف تشغيل أول خط إنتاج في أكتوبر 2029. ووفقاً لأنباء من الموقع، في سياق إعلان شركة CXMT الصينية عن إطلاق DRAM من الجيل التالي للخوادم، أجاب رئيس سامسونغ إلكترونيكس ورئيس قسم التكنولوجيا سونغ جاي-هوك عند سؤاله عما إذا كانت الشركة تطور أيضاً تقنية 4F² بـ "نعم"، لكن بشأن تقدم التطوير اكتفى بالقول "نحن نبذل جهوداً" دون الكشف عن المزيد من التفاصيل.
حل SK Hynix من الجيل التالي، ركز على اتجاهين: ذاكرة الفلاش ذات النطاق الترددي العالي (HBF) وDRAM ثلاثي الأبعاد. HBF هي تقنية من الجيل التالي تعتمد على ذاكرة فلاش NAND، يمكنها تخزين كميات كبيرة من البيانات بكفاءة، لذا تُعتبر مستوى ذاكرة جديداً بين HBM ومحركات الحالة الصلبة (SSD). أما DRAM ثلاثي الأبعاد فيتم وضع DRAM مباشرة فوق معالجات مثل GPU، وربطها عبر ثقوب السيليكون (TSV)، لتقليل مسافة نقل البيانات.
في الكلمة الرئيسية في ذلك اليوم، قدم رئيس تطوير SK Hynix آن هيون حكماً حول اختناقات الذاكرة. قال إنه مع تزايد تعقيد مهام الذكاء الاصطناعي، وزيادة السياق المرجعي الفردي وحجم طلبات المعالجة، سيتوسع نطاق أداء البنية التحتية للذكاء الاصطناعي بحلول عام 2030 إلى حوالي 20 ضعف مستوى هذا العام. وعلى وجه الخصوص، فإن النمو المستمر لـ "ذاكرة التخزين المؤقت KV" - البيانات الوسيطة التي يعيد الذكاء الاصطناعي استخدام المعلومات المعالجة سابقاً - يجعل البيانات تحتاج إلى التقسيم والتخزين والنقل بين أنواع متعددة من الذاكرة، وهذه العملية أصبحت اختناقاً جديداً. في رأيه، إذا تم دمج تقنيات الجيل التالي التي تربط المعالج بالذاكرة مباشرة، مع تغليف متقدم يحقق زيادة النطاق الترددي وتقليل استهلاك الطاقة ومعالجة الحرارة، فمن المتوقع أن تنمو لتصبح حلول ذكاء اصطناعي جديدة.
العنصر المواصفات المعالج/SoC معجل الذكاء الاصطناعي نوع الذاكرة HBM, LPDDR-PIM
إفصاح عن المصلحة: تحتوي هذه المقالة على روابط منتجات لشركاء تجاريين، إذا قمت بالشراء عبر الروابط، قد تحصل TechRitual على عمولة، لكن ذلك لا يؤثر على تقييم المنتجات وتوصياتها. للتفاصيل يرجى الرجوع إلى سياسة الخصوصية.
اقرأ المقال الأصلي على techritual.com (بالصينية التقليدية) →
The TechRitual editorial desk in Hong Kong. Articles on TechRitual World are translated from the Traditional Chinese originals on techritual.com.