Samsung und SK Hynix präsentieren am selben Tag Speicher-Stacking-Technologien der nächsten Generation – Wettlauf um Geschwindigkeit und Energieeffizienz

Auf der am 14. Oktober in der COEX im koreanischen Gangnam eröffneten „28. Halbleiterausstellung (SEDEX 2026)“ präsentierten Samsung Electronics und SK Hynix am selben Tag ihre jeweiligen Speicher-Stacking-Technologien der nächsten Generation. Der Ansatz beider Unternehmen ist weitgehend identisch: Halbleiter werden vertikal gestapelt, um die Datenbewegungsstrecke zwischen Recheneinheit und Speicher zu verkürzen und so Verarbeitungsgeschwindigkeit und Energieeffizienz gleichzeitig zu steigern.

Samsung Electronics und SK Hynix präsentieren Speichertechnologien der nächsten Generation

Samsung Electronics zeigte auf der Messe eine KI-Halbleiterlösung, die Speicher, Logik, Design, Fertigung (Foundry) und Advanced Packaging abdeckt. Im Mittelpunkt stand die 3D-Speicherarchitektur „zHBM“, bei der High-Bandwidth Memory (HBM) vertikal über einem KI-Beschleuniger gestapelt wird. Samsung präsentierte zudem die 3D-NAND-Lösung „zNAND-O“, die für Edge-Szenarien mit On-Device-KI konzipiert ist und auf effiziente Raumnutzung sowie höhere Datenladeraten abzielt. Am Stand waren außerdem das HBM-Produkt der siebten Generation HBM4E sowie LPDDR-PIM zu sehen – eine Low-Power-DRAM-Technologie, die Rechenfunktionen direkt in den Speicher integriert, um die Last des Datentransports zu externen Recheneinheiten zu verringern.

Neben der Technologie-Roadmap stellte Samsung auch seine Kapazitätsplanung vor. Im neu eingerichteten „Semiconductor Cluster Zone“ erläuterte das Unternehmen die Rollen seiner wichtigsten Produktions- und F&E-Standorte und veröffentlichte den Bauplan für den Yongin National Industrial Complex – das Projekt sieht Investitionen von rund 360 Billionen Won (ca. 2,05 Billionen Yuan) vor, mit Baubeginn und Geländearbeiten ab 2027 und dem Ziel, die erste Fertigungslinie im Oktober 2029 in Betrieb zu nehmen. Laut vor Ort verbreiteten Informationen bestätigte Samsung-CTO Song Jae-heok auf die Frage, ob das Unternehmen angesichts der Ankündigung von CXMT (ChangXin Memory Technologies) zu Server-DRAM der nächsten Generation ebenfalls an 4F²-Technologie arbeite, mit „Ja“, beließ es bei der Entwicklungsfortschrittsfrage jedoch bei der Aussage „wir arbeiten hart daran“ und nannte keine weiteren Details.

SK Hynix konzentriert sich bei seinen Lösungen der nächsten Generation auf zwei Richtungen: High Bandwidth Flash (HBF) und 3D-Stacked DRAM. HBF ist eine NAND-Flash-basierte Technologie der nächsten Generation, die große Datenmengen effizient speichern kann und daher als neue Speicherebene zwischen HBM und Solid State Drives (SSD) angesehen wird. Beim 3D-Stacked DRAM wird der DRAM direkt auf Prozessoren wie GPUs platziert und über Through-Silicon Vias (TSV) verbunden, um den Datenbewegungsweg zu verkürzen.

In der Eröffnungskeynote analysierte SK Hynix' Entwicklungschef Ahn Hyun die Engpässe, vor denen der Speicher steht. Er erklärte, dass mit zunehmend komplexeren KI-Aufgaben, wachsendem Kontext pro Referenz und steigenden Verarbeitungsanfragen die Leistungsgröße der KI-Infrastruktur bis 2030 auf das etwa 20-Fache des diesjährigen Niveaus anwachsen werde. Besonders der kontinuierliche Anstieg des „KV Cache“ – der intermediären Daten, die KI aus früheren Verarbeitungsschritten wiederverwendet – mache es nötig, Daten zwischen verschiedenen Speichertypen aufzuteilen, zu speichern und zu verschieben, was zu einem neuen Flaschenhals werde. Seiner Ansicht nach könne die Kombination aus Prozessor-Speicher-Direktverbindungs-Technologien der nächsten Generation mit Advanced Packaging, das Bandbreitensteigerung, Stromverbrauchsreduktion und Thermomanagement ermöglicht, zu einer neuen KI-Lösung heranwachsen.

Element	Spezifikation
Prozessor/SoC	KI-Beschleuniger
Speichertyp	HBM, LPDDR-PIM

Interessenhinweis: Dieser Artikel enthält Partner-Produktlinks. Wenn Sie über diese Links einkaufen, erhält TechRitual möglicherweise eine Provision, dies beeinflusst jedoch nicht die Produktbewertungen und -empfehlungen. Details finden Sie in der Datenschutzrichtlinie.