Samsung amplía la línea de productos z NAND y desarrolla tres memorias personalizadas para aplicaciones de IA

Según medios coreanos, Samsung Electronics está ampliando el alcance de aplicación del producto de memoria flash NAND de próxima generación z NAND. Además del ya anunciado z NAND-O, internamente se encuentran en desarrollo inicial z NAND-T y z NAND-I, tres productos dirigidos a diferentes escenarios de aplicación de IA.

Samsung Electronics desarrolla múltiples nuevos productos de memoria flash NAND para responder a la demanda de IA

Samsung había presentado anteriormente el z NAND-O. El 4 de agosto, hora local, Samsung exhibió por primera vez el modelo conceptual del z NAND-O en la conferencia FMS 2026 celebrada en Santa Clara, California, EE. UU., un producto diseñado para IA en el dispositivo. A diferencia del método tradicional que depende del wire bonding para transmitir datos a la periferia del chip, el z NAND-O adopta la tecnología de vias a través de silicio (TSV), apilando el NAND en 4 u 8 capas, acortando la ruta de transmisión de datos y mejorando así la velocidad y la eficiencia energética. En el ODX 2026, Samsung explicó que la densidad de bits del z NAND-O puede alcanzar 10 veces la de la DRAM, el ancho de banda de lectura y la eficiencia energética de lectura pueden llegar a 7 veces las de la memoria flash NAND tradicional, la capa de chip principal utiliza SLC, puede empaquetarse de forma integrada con la NPU e interconectarse a través de la interfaz estándar UCIe.

Según el informe, el z NAND-T se centra en el rendimiento (throughput), dirigido a centros de datos de IA de alta capacidad y alto rendimiento, caracterizado por maximizar el ancho de banda que determina el rendimiento de datos, fabricado igualmente mediante apilamiento vertical con TSV, denominado en la industria como memoria flash de alto ancho de banda (HBF). El z NAND-I, por su parte, maximiza los IOPS, es decir, el número de operaciones de entrada/salida que se pueden completar por segundo. Un ancho de banda grande significa poder procesar más datos de una vez, mientras que unos IOPS altos significan completar más tareas de lectura/escritura por segundo. Los datos temporales de baja capacidad como la caché KV requieren un procesamiento frecuente, por lo que los escenarios de inferencia de IA valoran más la NAND con altos IOPS.

Los medios coreanos señalan que la razón principal por la que Samsung divide sus productos NAND de próxima generación en tres líneas es la IA. Las grandes empresas tecnológicas globales están desarrollando diversas arquitecturas para mejorar la eficiencia del procesamiento de datos de IA, lo que aumenta la demanda de NAND optimizada para diferentes necesidades. Samsung aún no ha anunciado oficialmente el z NAND-T ni el z NAND-I, ambos productos se encuentran actualmente solo en desarrollo interno.

SK Hynix también está desarrollando productos NAND personalizados para IA. La compañía lanzó en la segunda mitad del año pasado la familia de productos AIN (AI-NAND), que incluye AIN P, AIN D y AIN B, correspondientes respectivamente a rendimiento, integración y ancho de banda. El AIN P está desarrollando un producto de nivel de 100 millones de IOPS, el AIN D se centra en la capacidad de almacenamiento SSD, con objetivo de nivel PB, y el AIN B es esencialmente el mismo concepto que HBF, con énfasis en la expansión del ancho de banda.

Ítem	Especificación
Densidad de bits	Hasta 10 veces la DRAM
Ancho de banda de lectura	Hasta 7 veces la memoria flash NAND tradicional
IOPS	Nivel de hasta 100 millones de IOPS

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