Samsung 扩大 z NAND 产品线 开发三款针对 AI 应用的定制化内存

据韩媒报道，Samsung 电子正在扩大下一代 NAND 闪存产品 z NAND 的应用范围。除了已公开的 z NAND-O 外，内部还在初期开发 z NAND-T 与 z NAND-I，三款产品分别针对不同的 AI 应用场景。

Samsung 电子正在开发多款新型 NAND 闪存产品以应对 AI 需求

Samsung 此前已公开过 z NAND-O。当地时间 8 月 4 日，Samsung 在美国加州圣克拉拉举行的 FMS 2026 大会上首次展出 z NAND-O 概念模型，这款产品面向端侧 AI 设计。与依靠引线键合将数据传至芯片外围的传统方式不同，z NAND-O 采用硅通孔（TSV）技术，将 NAND 堆叠成 4 层或 8 层，数据传输路径缩短，速度与能效随之提升。Samsung 在 ODX 2026 上介绍，z NAND-O 的比特密度可达 DRAM 的 10 倍，读取带宽与读取能效可达传统 NAND 闪存的 7 倍，核心芯片层采用 SLC，可与 NPU 集成封装，并通过 UCIe 标准接口互联。

根据报道，z NAND-T 主打吞吐量，面向高容量、高性能的 AI 数据中心，特点是将决定数据吞吐量的带宽做到最大，同样采用垂直堆叠加 TSV 的方式制造，业内称为高带宽闪存（HBF）。z NAND-I 则将 IOPS，即每秒可完成的输入输出次数做到最大。带宽大意味着一次能处理更多数据，而 IOPS 高则意味着每秒完成的读写任务更多。KV 缓存这类低容量临时数据需要频繁处理，因此 AI 推理场景更看重高 IOPS 的 NAND。

韩媒指出，Samsung 将下一代 NAND 产品细分为三条线，最主要的原因在于 AI。全球大型科技公司正在开发各种提升 AI 数据处理效率的架构，针对不同需求优化的 NAND 需求随之增加。Samsung 尚未正式公布 z NAND-T 与 z NAND-I，这两款产品目前仅在内部开发中。

SK 海力士同样在开发定制化 AI NAND 产品。该公司去年下半年搭建了 AIN（AI-NAND）产品家族，包含 AIN P、AIN D、AIN B 三款，分别对应性能、集成度与带宽。AIN P 正在开发最高 1 亿 IOPS 级产品，AIN D 聚焦 SSD 存储容量，目标最高 PB 级，AIN B 则与 HBF 实质上是同一概念，重点在于扩展带宽。

项目	规格
比特密度	可达 DRAM 的 10 倍
读取带宽	可达传统 NAND 闪存的 7 倍
IOPS	最高 1 亿 IOPS 级

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