وفقاً لتقارير وسائل الإعلام الكورية، تعمل Samsung إلكترونيكس على توسيع نطاق تطبيق منتج ذاكرة NAND فلاش من الجيل القادم z NAND. بالإضافة إلى z NAND-O المعلن عنه بالفعل، تقوم الشركة بتطوير z NAND-T و z NAND-I في مراحل مبكرة داخلياً، حيث تستهدف المنتجات الثلاثة سيناريوهات تطبيقات ذكاء اصطناعي مختلفة.
سامسونج إلكترونيكس تطور عدة منتجات جديدة من ذاكرة NAND فلاش لتلبية متطلبات الذكاء الاصطناعي
Samsung كانت قد كشفت سابقاً عن z NAND-O. في 4 أغسطس بالتوقيت المحلي، عرضت Samsung لأول مرة نموذجاً تجريبياً لـ z NAND-O في مؤتمر FMS 2026 المنعقد في سانتا كلارا، كاليفورنيا، الولايات المتحدة، حيث صُمم هذا المنتج للذكاء الاصطناعي على الجهاز. وعلى عكس الطريقة التقليدية التي تعتمد على الترابط السلكي لنقل البيانات إلى محيط الشريحة، يعتمد z NAND-O على تقنية الثقوب عبر السيليكون (TSV)، حيث يتم تكديس ذاكرة NAND في 4 أو 8 طبقات، مما يقصر مسار نقل البيانات ويرفع السرعة وكفاءة الطاقة. وأوضحت Samsung في مؤتمر ODX 2026 أن كثافة بتات z NAND-O يمكن أن تصل إلى 10 أضعاف ذاكرة DRAM، بينما يمكن لعرض نطاق القراءة وكفاءة قراءة الطاقة أن يصل إلى 7 أضعاف ذاكرة NAND فلاش التقليدية، وتعتمد طبقة الشريحة الأساسية على SLC، ويمكن دمجها في عبوة واحدة مع NPU، والربط عبر واجهة UCIe القياسية.
وفقاً للتقرير، يركز z NAND-T على معدل النقل، ويستهدف مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي ذات السعة العالية والأداء العالي، حيث تتمثل ميزته في زيادة عرض النطاق الذي يحدد معدل نقل البيانات إلى الحد الأقصى، كما يتم تصنيعه بنفس طريقة التكديس العمودي مع TSV، وتطلق عليه الصناعة اسم ذاكرة فلاش عالية النطاق الترددي (HBF). أما z NAND-I فيركز على زيادة IOPS، أي عدد عمليات الإدخال/الإخراج التي يمكن إكمالها في الثانية. عرض النطاق الكبير يعني القدرة على معالجة المزيد من البيانات في المرة الواحدة، بينما IOPS المرتفع يعني إكمال المزيد من مهام القراءة/الكتابة في الثانية. تتطلب ذاكرة التخزين المؤقت KV ذات السعة المنخفضة والبيانات المؤقتة معالجة متكررة، لذا فإن سيناريوهات استدلال الذكاء الاصطناعي تولي أهمية أكبر لذاكرة NAND ذات IOPS العالية.
أشارت وسائل الإعلام الكورية إلى أن السبب الرئيسي وراء تقسيم Samsung لمنتجات NAND من الجيل القادم إلى ثلاثة خطوط يكمن في الذكاء الاصطناعي. فالشركات التقنية الكبرى عالمياً تطور هياكل متنوعة لتحسين كفاءة معالجة بيانات الذكاء الاصطناعي، مما يزيد الطلب على ذاكرة NAND المحسنة لمتطلبات مختلفة. ولم تعلن Samsung رسمياً بعد عن z NAND-T و z NAND-I، حيث لا يزال المنتجان في مرحلة التطوير الداخلي فقط.
كذلك تطور SK Hynix منتجات NAND مخصصة للذكاء الاصطناعي. فقد أطلقت الشركة في النصف الثاني من العام الماضي عائلة منتجات AIN (AI-NAND)، التي تضم ثلاثة منتجات هي AIN P و AIN D و AIN B، وتتوافق على التوالي مع الأداء والتكامل وعرض النطاق. يطور AIN P منتجاً يصل إلى 100 مليون IOPS، ويركز AIN D على سعة تخزين SSD مستهدفاً مستوى PB، بينما يتطابق AIN B جوهرياً مع مفهوم HBF، مع التركيز على توسيع عرض النطاق.
البند المواصفات كثافة البتات تصل إلى 10 أضعاف DRAM عرض نطاق القراءة يصل إلى 7 أضعاف ذاكرة NAND فلاش التقليدية IOPS مستوى يصل إلى 100 مليون IOPS
إفصاح عن المصلحة: تحتوي هذه المقالة على روابط منتجات لشركاء تجاريين، وإذا قمت بالشراء عبر هذه الروابط، فقد تحصل TechRitual على عمولة، لكن ذلك لا يؤثر على تقييم المنتجات وتوصياتها. للتفاصيل يرجى الرجوع إلى سياسة الخصوصية.
اقرأ المقال الأصلي على techritual.com (بالصينية التقليدية) →
The TechRitual editorial desk in Hong Kong. Articles on TechRitual World are translated from the Traditional Chinese originals on techritual.com.