Samsung 电子确认正在开发 4F DRAM 存储技术，紧随长鑫存储之后

中国最大半导体企业长鑫存储（CXMT）预告将推出次世代服务器用 DRAM 之后，Samsung 电子方面也表态，公司正在开发同一项技术。10 月 14 日，在首尔江南区 COEX 举行的「第 28 届半导体展（SEDEX 2026）」现场，Samsung 电子最高技术负责人（CTO）宋在赫被记者问及「Samsung 电子是否也在开发 4F² 技术」，他回答「是的」。当被追问开发进展如何时，他仅表示「正在努力做」，并未展开说明。

Samsung 电子正在积极开发 4F² 技术以应对市场竞争

4F² 是长鑫存储此前宣布将应用于服务器用 DRAM 的次世代技术，其关键在于让同样的空间能装入更多数据。由于这被视为存储半导体在容量密度上的一次重要突破，长鑫存储的发布也引发了关注。这种关注在资本市场上迅速有了反应。在长鑫存储公布消息后，外界出现了一些担忧，认为中国的存储半导体技术可能正在追赶韩国。受此影响，前一日 Samsung 电子与 SK 海力士的股价分别下跌 7.4% 和 10.1%。

在这种背景下，Samsung 电子 CTO 在展会上的回应，也成为外界观察两家公司技术进度的一个信号。值得注意的是，Samsung 电子在本次展会上以「AI 系统设计」为主题，设置了六个展示空间，分别涵盖次世代技术、云端 AI、边缘 AI、Physical AI、半导体集群以及共生合作。这一主题设置也体现出公司当下把技术展示的重心放在与 AI 相关的系统级能力上。

项目	规格
处理器/SoC	待公布
RAM	待公布

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