Samsung Electronics bestätigt Entwicklung von 4F-DRAM-Speichertechnologie, folgt auf CXMT

Nachdem Chinas größter Halbleiterhersteller CXMT (ChangXin Memory Technologies) die Einführung von DRAM der nächsten Generation für Server angekündigt hatte, gab auch Samsung Electronics bekannt, an derselben Technologie zu arbeiten. Am 14. Oktober antwortete Samsung Electronics' Chief Technology Officer (CTO) Song Jae-heok auf der „28. Halbleiterausstellung (SEDEX 2026)“ im COEX in Gangnam-gu, Seoul, auf die Frage eines Reporters, ob Samsung Electronics auch die 4F²-Technologie entwickle, mit „Ja“. Auf die Nachfrage nach dem Entwicklungsstand hin sagte er lediglich, man „arbeite hart daran“, ohne näher darauf einzugehen.

Samsung Electronics entwickelt 4F²-Technologie aktiv, um auf Marktkonkurrenz zu reagieren

4F² ist die nächste Generationstechnologie, die CXMT zuvor für Server-DRAM angekündigt hatte. Ihr Kern liegt darin, mehr Daten in denselben Raum zu packen. Da dies als wichtiger Durchbruch bei der Kapazitätsdichte von Speicherhalbleitern gilt, zog CXMTs Ankündigung Aufmerksamkeit auf sich. Diese Aufmerksamkeit spiegelte sich schnell am Kapitalmarkt wider. Nach CXMTs Bekanntgabe gab es Bedenken, dass Chinas Speicherhalbleitertechnologie Südkorea einhole. Davon betroffen fielen die Aktienkurse von Samsung Electronics und SK Hynix am Vortag um jeweils 7,4 % und 10,1 %.

In diesem Kontext wurde die Antwort von Samsung Electronics' CTO auf der Messe auch zu einem Signal, an dem die Außenwelt den technologischen Fortschritt beider Unternehmen abliest. Bemerkenswert ist, dass Samsung Electronics auf dieser Messe unter dem Thema „KI-Systemdesign“ sechs Ausstellungsbereiche einrichtete, die nächste Generationstechnologie, Cloud-KI, Edge-KI, Physical AI, Halbleitercluster sowie symbiotische Zusammenarbeit abdecken. Diese thematische Ausrichtung spiegelt auch wider, dass das Unternehmen seinen Schwerpunkt bei der Technologiepräsentation derzeit auf systembezogene KI-Fähigkeiten legt.

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