A Xiaomi lançou recentemente o seu chip de gama alta, o玄戒 O3. De acordo com as informações divulgadas, este novo SoC móvel de última geração suporta chips de memória LPDDR6. Fontes da indústria indicam que a Changxin Storage é o parceiro central da Xiaomi para a memória LPDDR6, o que significa que os produtos LPDDR6 fabricados na China estão agora a entrar na fase de aplicação prática em plataformas móveis de gama alta.
Do ponto de vista do desenvolvimento, a Changxin Storage já tinha preparado o terreno para o avanço do LPDDR6. Em março deste ano, surgiram rumores de que os produtos LPDDR6 estavam a ser enviados para clientes-chave; no início de agosto, também começaram a circular notícias de que os produtos relacionados estavam quase a concluir os procedimentos de aceitação. Com o lançamento oficial do玄戒 O3, a memória de baixo consumo fabricada na China está pela primeira vez a ser integrada com o mais recente processador móvel de gama alta, sinalizando uma produção em massa e uma introdução mais clara.
LPDDR6 adota uma nova arquitetura de 24 bits de canal duplo
O LPDDR6 é o mais recente padrão de memória móvel de baixo consumo, publicado pela JEDEC em julho de 2025. Comparado com o LPDDR5X, o LPDDR6 utiliza uma nova arquitetura de 24 bits de canal duplo, enquanto o LPDDR5X possui um canal de 16 bits, refletindo principalmente uma melhoria na flexibilidade do agendamento de dados. Na cadeia de fornecimento de terminais móveis, a escolha das especificações de memória pelo SoC de gama alta é frequentemente vista como um importante indicador da evolução tecnológica, e o suporte do玄戒 O3 ao LPDDR6 também atraiu a atenção para os avanços na indústria relacionada.
De acordo com as informações previamente divulgadas, a primeira memória LPDDR6 da Changxin Storage tem uma taxa de design especificada de 12800Mbps, com uma taxa base de 10667Mbps quando funciona em conjunto com o SoC; a capacidade por chip é de 16Gb, a capacidade do módulo é de 16GB e utiliza um encapsulamento POP de 1295 Ball. Dados relevantes mostram que este produto apresenta otimizações adicionais em termos de design de baixo consumo e funcionalidades RAS em comparação com o LPDDR5X.
Memórias móveis fabricadas na China aceleram a entrada em novos padrões de geração
Durante muito tempo, a aplicação inicial dos novos padrões LPDDR em plataformas de gama alta foi dominada por fabricantes estrangeiros como a Samsung, SK Hynix e Micron. A entrada da Changxin Storage no sistema de colaboração do玄戒 O3 demonstra que o avanço das memórias móveis fabricadas na China em novos padrões de geração está a acelerar.
Item Especificação Taxa de design especificada 12800Mbps Taxa base 10667Mbps Capacidade por chip 16Gb Capacidade do módulo 16GB Especificação de encapsulamento 1295 Ball POP Arquitetura 24 bits de canal duplo
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